10纳米鳍式晶体管架构FinFET工艺

技闻

【期刊名称】《集成电路应用》

【年(卷),期】2015(000)011

【摘要】FET的全名是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET),先从大家较耳熟能详的MOS来说明o MOS的全名是金属一氧化物一半导体场效晶体管(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor,MOSFET),鳍式场效应晶体管是闸极长度缩小到20纳米以下的关键,拥有这个技术的制程与专利,才能确保未来在半导体市场上的竞争力,这也是让许多国际大厂趋之若骛的主因.创新半导体架构和制造工艺才是关键.

【总页数】3页(22-24)

【关键词】晶体管架构;鳍式场效应晶体管;FinFET;10纳米工艺

【作者】技闻

【作者单位】

【正文语种】中文

【中图分类】TN303

【相关文献】

1.英特尔将在2017年底启动全新22纳米鳍式场效晶体管 [J],

2.响应速度打破纪录的纳米线晶体管——可代替硅晶体管的砷化镓纳米线晶体管 [J],

3.鳍式场效晶体管寄生提取的复杂性 [J], Carey Robertson

4.互补MIS鳍式场效应晶体管（FinFET）的专利技术综述 [J], 张磊

5.鳍式场效应晶体管结合自热效应的电迁移分析 [J], 张骁竣; 季昊; 聂笔剑

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10纳米鳍式晶体管架构FinFET工艺