一种新型低压低功耗伪差分环形压控振荡器设计

发布时间：2023-04-11 01:33:40

一种新型低压低功耗伪差分环形压控振荡器设计王镇道;伍锡安;朱小莉【摘要】Anovellow-voltageandlow-dissipationpseudoringvoltage-controlledoscillator(VCOwasproposed,basedoncrosscouplingtechnology.Theschematicincludesthepseudo-differentialringVCOcoreandoutputshapingbuffer.Aninvertercontrolledbytailcurrentsourcewasusedasthedelaycell,whichcomposedthenovellow-voltageandlow-dissipationpseudo-differentialringVCO.Moreover,lineartechnologywasappliedtoimprovethetuninglinearity.UtilizingtheoutputbuffercircuittotrimtheringVCO'swaveform,theproposedcircuitseliminatethelimitationofoutputswingwhichcannotreachtherail-to-railoutputswing.Thecircuitwasdesignedby0.13μmstandardCMOSprocess,andsimulatedbythespectreincadenceunderthesupplyvoltageof1.2V.Thepre-simulationresultsshowthattheVCO'sphasenoiseisonly-100.58dBc/Hz@1MHz,thepowerdissipationis0.92mW,thedesignshowsagoodtuninglinearitybetweenthevoltagerangefrom0.45to1V,thefrequencytuningrangeisfrom0.303to1.63GHz,anditcanalsoworkat1Vsupplyvoltage.%基于交叉耦合技术提出了一种新型低压低功耗伪差分环形压控振荡器(VCO.电路整体包括新型伪差分环形压控振荡器、输出整形缓冲(buffer电路两个部分.在VCO电路中采用了尾电流源控制的反相器为基本延时单元,实现了一种新型低压低功耗伪差分环形振荡器设计,并采用线性化技术改善调节线性度.利用输出buffer对VCO输出波形进行整形,消除了这种结构下输出摆幅受到尾电流源影响而不能达到轨到轨摆幅的限制.基于0.13μm标准CMOS工艺,利用cadence
spectre进行仿真验证,前仿真结果表明在电源电压为1.2V时,该VCO相位噪声为-100.58dBc/Hz@1MHz,功耗为0.92mW,在0.45～1V的电压范围内,频率调谐范围宽达0.303～1.63GHz,具有非常好的调节线性度,在电源电压为1V时仍然能正常工作.【期刊名称】《湖南大学学报（自然科学版）》【年(卷,期】2017(044010【总页数】6页(P117-122【关键词】伪差分;低压低功耗;压控振荡器;相位噪声【作者】王镇道;伍锡安;朱小莉【作者单位】湖南大学物理与微电子科学学院,湖南长沙410082;湖南大学物理与微电子科学学院,湖南长沙410082;湖南大学物理与微电子科学学院,湖南长沙410082【正文语种】中文【中图分类】TN432压控振荡器(VoltageControlledoscillator,VCO逐渐成为无线通讯系统、时钟数据恢复系统和高性能数字系统中的重要部件,在时钟信号产生、频率综合、时钟数据恢复、无线通讯等应用中成为一个不可或缺的核心模块[1],对VCO的深入研究有着十分重大的意义.压控振荡器包括LC-VCO和环形VCO(RingVCO两种类型.其中环形VCO分为单端环形VCO(SingledRingVCO,差分环形VCO(DifferentialRingVCO和伪差分环形VCO(PesudoDifferentialRingVCO[2].LC-VCO具有非常低的相位噪声,成为在射频无线通讯系统中的主流应用
技术,但是LC-VCO需要利用电感元件,在目前集成电路制作工艺中,电感元件的制作与标准CMOS制作工艺兼容难度大,且芯片占用面积大,制作成本高.并且LC-VCO的调谐范围比较小,大大限制了LC-VCO在宽调谐范围产品中的应用.在对相位噪声要求不苛刻的系统和应用中,选择LC-VCO并不是一个非常合适的方案.光纤通讯系统及数模混合系统等的应用中,要求输出信号具有宽的输出范围,因此VCO需要宽调谐范围.环形VCO以其宽调谐范围,高集成度和低制作成本,并且通过合理设计优化也能够在相位噪声性能上做到足够低,以满足应用要求,同时可以实现多相位时钟信号,以及低设计制作成本等优势,环形VCO成为高速光纤通讯系统中时钟数据恢复电路、数模混合电路系统中时钟生成电路中使用广泛的核心模块.单端环形VCO结构简单,但是对电源、衬底及其它应用环境中的共模噪声抑制能力弱,相位噪声性能差；全差分结构具有良好共模噪声抑制能力,一定程度上能够改善相位噪声,但是结构复杂,往往还需要额外设计偏置电路,功耗也相应增加.文献[3]设计的LC-VCO实现了很低的相位噪声,但是由于用到了无源器件电感和电容,增加了设计成本,功耗也较高.文献[4]采用了全差分结构的VCO,实现了相位噪声的改善,但是额外设计了偏置电路,功耗大大增加,这与集成电路发展的低功耗需求不符合[5-6].文献[7]在反相器链基础上通过加入两组锁存器,并进行动态切换实现宽调谐的伪差分VCO,虽然实现了相位噪声的优化,但是电路复杂度有所增加.针对单端环形VCO相位噪声差,差分环形VCO结构复杂,功耗大等问题,及低压、低功耗的需求,基于反相器链和交叉耦合技术提出了一种新型低压低功耗伪差分压控振荡器,并通过源极负反馈技术提高VCO的调节线性度,在相位噪声上明显优于单端环形VCO,前仿真达到-100.58dBc/Hz@1MHz,并且功耗显著低于相关研究,仅0.92mW,电源电压低至1V时仍能正常工作,实现了低压低功耗设计.1.1电路原理与设计VCO是产生输出信号频率受到外部电压控制的振荡器电路,是闭环反馈系统.系统振
荡需要满足巴克豪森定理,即幅值条件和相位条件:|H(s|≥1∠H(s=180°环形VCO的振荡频率计算公式为f=1/(2NTd式中:N为基本单元级数;Td为基本单元传输延时时间.在单端环形振荡器中，由于NMOS管与PMOS管工艺参数存在差异及单端环形振荡器对噪声的抑制能力差,导致过零点位置偏移或不对称.差分环形VCO以其独特的对称结构,同时在电路设计和版图设计中做好匹配时,对噪声的抑制能力强,理论上输出波形具有本征对称性,有很好的占空比.在对占空比有要求的电路系统中,此特性十分重要,但是由于传统的全差分环形振荡器结构比较复杂,往往需要额外的偏置电路,功耗较高.本文提出一种新型的结构简单,功耗更低的伪差分环形VCO,结构如图1所示.设计的环形压控振荡器以反相器为基本延时单元,反相器链交叉耦合组成伪差分环形VCO.每条反相器链包含五级延时单元,并通过耦合使得Voutn与Voutp分别再通过另一条链的最后一级延时单元实现反相,得到一组伪差分信号Voutn与Voutp,形成所需要的新型伪差分环形振荡器.相比传统差分结构而言,该结构更加简单,不需要再单独进行偏置电路的设计,在功耗上也大大降低了,并且具有优于单端VCO的噪声抑制性能.实际电路的设计中,节点a与节点b,节点c与节点d之间,采用常开MOS管开关连接,而不是直接通过导线连接.这种耦合方式,能够有效隔离另一条链上延时单元的寄生电容叠加到其中一条链的最后一级输出节点上,避免了直接使用导线耦合使该级负载寄生电容增大,导致该级充放电时间与前四级不同,增加额外的延时抖动.通过控制尾电流源电流大小对VCO的输出频率进行控制,为了保证放电电流受到控
制电压Vctr的调节,尾电流源需要工作在饱和区,因此VCO输出电压的低电位不能够降低至地电位,将低电位定义为Vdsat.为了使输出波形具有好的摆幅(轨到轨摆幅,增加了一级buffer电路进行电路整形,获得轨到轨的输出波形.1.2基本单元分析本文设计的振荡器延时单元如图2所示.采用这种结构,由于利用尾电流源电流控制放电过程,为了维持放电电流跟随控制电压Vctr变化,需要使得尾电流源MOS管工作在饱和区,故输出电压Vout最小值要满足使尾电流源MOS管Mn2工作在饱和区的最低电压Vdsat.基于这一限制条件对延时单元充放电过程进行分析.在反相器中分别通过N管和P管对等效电容进行充放电,完成输入输出电平的转移,充放电延时τ=RonCeff.根据电容定义C=Q/V,Q=It得到延时单元传输延时时间为t=C·ΔV/I假设当栅电压处于低电位Vdsat时,N管关断而P管开启,电容开始充电,一直到(Vdd-Vdsat/2,这个过程所需时间记为充电时间tch,记充电电流为Ich,则tch=[(Vdd-Vdsat/2-Vdsat]C/Ich当栅压为高电位Vdd时,P管关断而N管开启,电容开始放电,并逐步从Vdd放电至(Vdd-Vdsat/2,这个过程所需时间记为充电时间tdis,记尾电流源放电电流为Idis,则tdis=[(Vdd-(Vdd-Vdsat/2-Vdsat]C/Idis整个充放电过程所需时间为T=tch+tdis.图1结构中完成一个完整周期的信号处理,需要花费2×5×T的时间,即提出的伪差分结构VCO振荡频率为f=1/(10T充电过程中,电流由PMOS管MP1决定,即Ich=μpCox(Vgs-Vthp2放电过程中,电流由电压Vctr控制的尾电流源NMOS管Mn1决定,即
Idis=μpCox(Vctr-VR-Vthp2通过改变控制电压Vctr的大小来调节放电电流,实现对延时单元充放电时间长短的控制,从而调节输出信号频率.1.3调节线性度的改善从1.2的分析可以发现,输出信号频率与电压Vctr的关系并非线性关系,而是二次关系.但是在实际应用中,希望输出信号频率与Vctr之间具有较好的线性度.即调节线性度,因此采用经典源极负反馈结构来改善调节线性度，如图2虚线框中部分所示.由NMOS管Mn2与电阻R构成源极负反馈结构,该结构中尾电流源电流大小为Idis=Vctr/(1/gm+R,并且当电阻R越大时,反馈越深,此时有Idis=Vctr/R,从而输出信号的频率f与控制电压Vctr的关系改变为f∝Vctr的一次关系.由二次函数关系转变为一次函数关系,VCO的调节线性度得到了大大的改善.在采用这一结构后,尾电流源输出电阻由只采用MOS管做尾电流源时的ro变为Rout=[(1+gmroR+ro]≈gmroR,远远大于由单个NMOS管组成的尾电流源输出电阻,具有更好的恒流源特性.输出信号频率f与控制电压Vctr转化曲线仿真结果如图3所示.从图中可以得出在0.45～1V电压范围内,设计的伪差分环形VCO输出信号频率与控制电压之间具有很好的线性度,即调节线性度得到大大的改善,并且KVCO=2.4GHz/V.为了进一步优化VCO的输出波形和占空比,设计了一个适用于高速信号处理的输出buffer电路,结构如图4所示.由于需要处理来自于VCO的高速信号,频率最高达到1.43GHz,在利用比较器作为整形buffer时,需要大的带宽,其增益受到限制.因此需要消耗较大的电流,尾电流管设计成大的宽长比,Vb由电源电压进行偏置.仿真结果表明输出buffer具有11.3GHz的带宽,远远高于需要处理的VCO的输出信号的最高频率,满足设计要求.
压控振荡器中,噪声信号会导致输出信号偏离理想信号的位置.偏离振荡频率一定带宽位置的信号功率与本振信号功率的比值称为相位噪声.压控振荡器的相位噪声主要由两部分引起,一是电路应用的环境,二是电路结构、电路器件自身引起的相位噪声.环境噪声在电路结构上可以通过采用差分、伪差分结构进行抑制优化,本文采用伪差分结构能够有效抑制环境噪声.在版图设计过程中通过合理布局和设置保护环隔离噪声的措施进行优化.设计中针对电路自身非理想因素造成的相位噪声进行分析并优化.2.1器件热噪声优化Abidi等在相位噪声的分析上进行了充分的模型验证和分析,其中由于器件电阻热噪声引起的相位噪声模型[8]为式(10表明相位噪声与电源电压、充放电电流反相关,与温度、工艺正相关.在具体的电路设计过程中,由于采用低电源电压,对优化相位噪声带来限制,所以设计过程中通过选取足够大的电流来优化相位噪声.在此结构中,尾电流源的噪声对电路整体相位噪声有着十分显著的影响.因此通过选择小的电阻来降低电阻噪声对VCO的影响,这与前文所述的采用大的电阻有利于提高调节线性度相矛盾,因此在设计过程中合理选择电阻阻值,在线性化和相位噪声上进行折衷处理.2.2闪烁噪声优化电路中延时单元的N管、P管及尾电流源中的N管中均存在闪烁噪声.Abidi,Razavi等对相位噪声的研究表明:MOS管闪烁噪声对VCO相位噪声的贡献存在如下关系[9-11]式中：N是延时单元级数,Kfn,Kfp分别是N管P管的闪烁噪声系数.WnLn,WpLp分别是N管、P管的宽长比乘积.N一般取值为3～5级,Kf由工艺决定.因此在设计时可以通过采用大尺寸MOS管器件可以较好地优化VCO的相位噪声,同时选择级
数为5以降低相位噪声.除了以上因素造成VCO相位噪声外,还有衬底和电源/地轨线耦合噪声[12],失配[11,13]等都会造成相位噪声增加,对这些因素造成的相位噪声,本文通过采用伪差分、版图设计注重匹配能够起到有效抑制作用.图5所示为设计的VCO相位噪声前仿真结果图.仿真结果表明,在偏离本振信号1MHz处相位噪声是-100.58dBc/Hz.基于0.13μm工艺的版图设计规则要求完成了电路的版图设计,如图6所示.包括了VCO核心电路和整形电路两部分,整体面积为28.8μm×27.9μm.基于设计的版图提取相关寄生参数,完成后仿真,得到的频率f与控制电压Vctr转化曲线后仿真结果如图7所示.仿真结果表明：在0.45～1V电压范围内,设计的VCO电路仍具有好的调节线性度,0.269～1.414GHz的宽调谐范围,KVCO=2.08GHz/V.相位噪声后仿真结果如图8所示,仍具有-98.64dBc/Hz@1MHz的相位噪声.VCO后仿真输出信号波形如图9所示,结果表明：输出高电平为1.19V,输出低电平为0.023V,具有接近轨到轨的满摆幅输出.为了进一步验证分析所设计的伪差分环形压控振荡器(VCO的性能特征,对该VCO和近年已有相关设计[7,14-16]的关键性能参数进行比较,如表1所示,表1中列举的性能参数为仿真结果.表1中的对比表明:在低电源电压下,设计的伪差分环形VCO能够达到与其它结构相近甚至更优的性能,并且具有更低的工作电压,以及比同类工作低很多的功耗,非常符合当前电子产品应用中对低压低功耗的要求,并且具有结构简单,设计制造成本低等优势.设计的伪差分VCO已成功应用于锁相环系统中,并成功流片.对芯片利用泰克MSO5104进行测试.图10所示为应用于锁相环的伪差分VCO输出1.2GHz信号,经过8分频后的输出波形测试结果,分频后信号频率为150MHz,测试结果为149.9
MHz,输出占空比为49.57%,摆幅-0.083-1.104V,接近满摆幅.基于0.13μm标准CMOS工艺设计了一种新型低压低功耗伪差分环形压控振荡器,其结构简单,功耗很低,前仿真具有接近轨到轨输出摆幅0.0177～1.19V.最高工作频率下,电路功耗也仅0.92mW,偏离中心频率1MHz处相位噪声为-100.58dBc/Hz,具有0.303～1.63GHz的频率调谐范围,整个范围宽达1.333GHz,最低工作电压可为1V,具有低压、低功耗、宽调谐范围的优势特性.并成功应用于锁相环系统中.†通讯联系人，E-mail:************.cn【相关文献】[1]JALILJ,REAZMBI,ALIMAM.CMOSdifferentialringoscillators:reviewoftheperformanceofCMOSROsincommunicationsystems[J].IEEEMicrowaveMagazine,2013,14(5:97-109.[2]RICKETTSD,MCNEILLJA.Thedesigner'sguidetojitterinringoscillators[J].DesignersGuideBook,2009,32(6:870-879.[3]曾健平,章兢,谢海情,等.1.8GHz宽带低相位噪声CMOS压控振荡器设计[J].湖南大学学报:自然科学版,2007,34(6:37-40.ZENGJianping,ZHANGJing,XIEHaiqing,etal.Designofa1.8GHzwideband,lowphasenoiseCMOSVCO[J].JournalofHunanUniversity:NaturalSciences,2007,34(6:37-40.(InChinese[4]程梦璋,景为平.CMOS环型压控振荡器的设计[J].电子科技大学学报,2009,38(2:305-308.CHENGMengzhang,JINGWeiping.DesignofCMOSringcontrolledoscillator[J].JournalofUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,2009,38(2:305-308.(InChinese[5]张明文.新形势下超低功耗集成电路技术研究[J].电子制作,2016(18:26-27.ZHANGMingwen.Researchofultra-lowdissipationintegratedcircuitundernewsituation[J].PracticalElectronics,2016(18:26-27.(InChinese[6]张兴,杜刚,王源,等.超低功耗集成电路技术[J].中国科学:信息科学,2012,42(12:1544-1558.ZHANGXing,DUGang,WANGYuan,etal.Technologyofultra-lowdissipationintegratedcircuit[J].ScienceChina:InformationSciences,2012,42(12:1544-1558.(InChinese[7]卓汇涵,张万荣,靳佳伟,等.一种低功耗宽频率调谐范围的伪差分环形VCO[J].半导体技术,2015,40(5:343-347.
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