半导体物理试卷b答案
发布时间：2023-09-27 18:55:23
一、名词解释（本大题共5题每题4分，共20分）1.直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。2.本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体，它的电子和空穴数量相同。3．简并半导体：半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导体称为简并半导体。过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n0和空穴△p=p-p0称为过剩载流子。4.有效质量、纵向有效质量与横向有效质量答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。5.等电子复合中心等电子复合中心：在III-V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。二、选择题（本大题共5题每题3分，共15分）1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D）A.平衡载流子浓度成正比B.非平衡载流子浓度成正比C.平衡载流子浓度成反比D.非平衡载流子浓度成反比2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3室温下，这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是（C）甲乙丙B.甲丙乙C.乙甲丙D.丙甲乙3．有效复合中心的能级必靠近(AA.禁带中部B.导带C.价带D.费米能级
4．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C）A.1/n0
