挺进次世代：ASML披露更多EUV光刻机研发新进展
发布时间：2022-12-15 21:14:06
在最近举办的SPIE高级光刻技术会议上，尽管EUV光刻工具的发展现状仍显得不够成熟，但目前唯一一家推出商用EUV光刻设备的厂商ASML还是给我们带来了一些下一代EUV光刻机的新信息，而我们也趁此机会给大家总结一下ASML已经上市和正在研发阶段的EUV光刻机的部分性能参数。
IMEC工作人员正在安装NXE:3100
如我们以前介绍的那样，ASML目前上市的试产型EUV光刻机型号为NXE:3100，这款机型号称最高成像能力为18nm，尽管这款机型在曝光功率和产出量方面还存在一些问题，但ASML表示他们会进一步优化下一代机型的性能，他们预定于2012年推出3100的后续机型。
我们先来看看他们刚刚推出的试产型NXE:3100机型的情况，之所以称为“试产型”，主要是因为这款机型在产出量方面还不能达到芯片制造厂商量产芯片时的产出量要求。
NXE:3100机型的主要客户和光源系统/产出量指标：
目前已经有两台NXE:3100在客户处安装完成，其中首家安装的客户是三星公司，第二家则是比利时的IMEC研究机构。需要说明的是，目前ASML公司有两家EUV光源供应商，其一是Cymer公司，他们生产的EUV光源系统采用的是LPP激光等离子体光源，这种光源使用高功率激光来加热负载产生等离子体，据ASML透露，目前Cymer提供的光源系统其持续曝光功率为11W；另外一种则是Ushio生产的基于DPP放电等离子体技术的光源系统，这种光源利用放电来加热负载(极微小的锡滴产生等离子体，据ASML称Ushio正在开发过程中的一套DPP光源系统的曝光功率可达12W。而三星公司安装的那台NXE3100配用的是Cymer的光源系统，IMEC的那台则采用Ushio的光源系统。
另外还有一家生产EUV光源系统的主要厂商Gigaphoton，据ASML公司透露，这家公司制造的EUVLPP光源系统据称曝光功率可达20W左右。
接触孔(contacthole的形状
据说三星采购这台EUV光刻机的目的是准备将其用于存芯片的生产制造，原因是如果使用193nm液浸光刻+双重成像技术来制造更高密度的存芯片中的接触孔结构，其制造成本会很高，因此三星正在寻找其它的制造方案。
产出量方面，NXE3100机型到今年年底可实现60片晶圆/小时的产出量，而目前则每小时只能加工出5片晶圆。按照ASML公司高级产品经理ChristianWagner的说法，只有将光源的持续曝光功率提升到100W等级，才有望实现60片/小时的产出量目标。而按KLA-Tencor公司高管的说法，EUV光刻机的每小时产出量必须能维持在80片晶圆，光刻机厂商才有可能从中获得稳定的收入。
NXE3100其它主要技术参数：
其它参数方面，按照ASML公司高级产品经理ChristianWagner的说法，NXE:3100分 