哈工大模拟电子技术基础期末试卷2012
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模拟电子技术基础试题(A
>>>>>题号>>>>分数>>>>
本题得分
哈工大2012年春季学期
班号姓名
八
卷面
平时
总分>>>>>>>>>
一
二
三
四
五
六
七>>>>
一、(14分填空和选择填空(每空1分)
1.某场效应管的转移特性曲线如图1.1所示,该场效应管为N沟道耗尽绝缘栅型场效应管。
>>>>>VCC>>>>(+12V
iD/mA
642
2
RC
>>>>10k
UDS=10V
uO
VT1
VT2
RC10k
RB20k
uI2
RB
uI1
20k
RW
UGS(off
R>>>>E10k
4>>>>>>>>>O
uGS/V
VEE(-12V
图1.1